Forum Giải Trí

Mới đây, dẫn lời từ trang tin Worket của Nga, PhoneArena cho biết Nokia P1 sẽ được ra mắt tại triển lãm MWC 2017 với ngoại hình gần giống như Aquos Xx3 đến từ Sharp đã ra mắt trước đây.

Tuy nhiên, các thông số cấu hình khác của Nokia P1 sẽ được thay đổi với vi xử lý Snapdragon 835 mạnh mẽ nhất đến từ Qualcomm, 6GB RAM và bộ nhớ trong 256GB. Hơn nữa, model này còn có một camera chính độ phân giải 22.6MP được chứng nhận đến từ Zeiss và chuẩn kháng bụi/nước IP 57.

​
Ngoài ra, thiết bị này còn được đồn đoán sẽ sở hữu một màn hình có kích thước 5.3 inch độ phân giải FullHD hoặc QuadHD, cảm biến vân tay ở phần cạnh phải và một viên pin dung lượng 3500 mAh hỗ trợ công nghệ sạc nhanh.

Theo dự kiến, Nokia P1 sẽ chạy hệ điều hành Android 7.0 mới nhất khi được ra mắt và có giá bán vào khoảng 800USD cho phiên bản 128GB bộ nhớ trong, 950USD cho phiên bản có dung lượng bộ nhớ trong cao hơn là 256GB.

---

Tags: #nokia #nokia-p1 #snapdragon-835 #news

Theo dự kiến, chip Snapdragon 835 sẽ là con chip cao cấp để trang bị trên các thiết bị di động trong năm 2017, sẽ được Qualcomm ra mắt tại sự kiện CES năm sau. Nhưng mới đây, điểm số benchmark của on chip này đã bị rò rỉ và cho kết quả không ấn tượng như mong đợi của nhiều người.

Một smartphone thử nghiệm có tên Essential FIH-PM1 đã xuất hiện trên trang web của Geekbench, máy được trang bị chip Snapdragon 835 8 nhân, xung nhịp 1,9 GHz, 4GB RAM và chạy trên hệ điều hành Android 7.0 Nougat.


Ở phép thử đơn nhân, Snapdragon 835 đạt 1844 điểm và đa nhân là 5426 điểm. Mặc dù là chip mới và sẽ được ứng dụng trên các thiết bị cao cấp năm sau, nhưng điểm thử nghiệm hiệu năng của Snapdragon 835 lại không gây ấn tượng như nhiều người mong đợi. Chỉ riêng chip Snapdragon 821 (trên OnePlus 3T) hiện nay, đã có thông số gần như "suýt soát" với 835. Thậm chí, cả chip Kirin 960 của Huawei cũng có điểm số ấn tượng hơn: hiệu năng thử đơn nhân đạt 1949 điểm và đa nhân là 6439 điểm.

Trong quá khứ, khi só sánh điểm AnTuTu giữa con chip Snapdragon 835 và Apple A10 Fusion thì Snapdragon 835 dễ dàng vượt mặt của con chip đến từ Apple (181.434 vs 172.644). Do đó, đây có thể là một phiên bản thử nghiệm của Snapdragon 835 nên sức mạnh bị hạn chế, chúng ta có thể đợi cho đến khi các hãng sản xuất trang bị con chip này trên các thiết bị của họ và tối ưu hiệu năng thì mới biết được sức mạnh thực sự của Snapdragon 835.

---

Tags: #snapdragon-835 #apple-a10 #qualcomm #snapdragon #news

Sự tồn tại của Qualcomm Snapdragon 835 - thế hệ chip SoC kế nhiệm của Snapdragon 821 từng được blogger nổi tiếng người Nga Elda Murtazin hé lộ trước đây đã được Samsung và Qualcomm xác nhận cách đây vài ngày và hôm nay cấu hình của bộ vi xử lý này đã bị rò rỉ trên internet hé lộ thêm thông tin khẳng định Snapdragon 835 sẽ được trang bị cho thế hệ flagship Android tiếp theo của Samsung cho năm 2017 là Galaxy S8.

Theo đó, thế hệ chip SoC mới và mạnh nhất của Qualcomm nói trên sẽ mang số hiệu MSM8998, hơi khác biệt một chút so với số hiệu MSM8996 của Snapdragon 821 hiện tại. Snapdragon 835 sử dụng một CPU octa-core (trong khi trên Snapdragon 821 chỉ là quad-core) đi kèm GPU Adreno 540, và công nghệ chip nhớ UFS 2.1. Đây cũng là thế hệ vi xử lý đầu tiên được sản xuất trên cơ sở công nghệ FinFET 10nm vừa được giới thiệu cách đây 6 tháng. Công nghệ LTE mới trên Snapdragon 835 có thể sẽ cung cấp tốc độ download tối đa Gbps, sử dụng RAM 4 kênh LPDDR4X-1866.


Cuối cùng, bảng cấu hình nói trên cho biết Snapdragon 835 sẽ chính thức xuất hiện trong Q1/2017 (tại sự kiện MWC 2017) và thế hệ flagship Android kế tiếp của Samsung là Galaxy S8 có thể sẽ là một trong những smartphone đầu tiên trên thế giới được trang bị Snapdragon 835.

---

Tags: #samsung #qualcomm #snapdragon-835 #news

Samsung và Qualcomm đã chính thức công bố sản xuất Snapdragon 835 với công nghệ FinFET trên tiến trình 10nm của Samsung. Đồng thời Qualcomm còn giới thiệu công nghệ sạc nhanh QuickCharge 4.0, "sạc 5 phút xài 5 tiếng".

Các thiết bị sử dụng Snapdragon 835 đầu tiên sẽ ra mắt vào nửa đầu 2017, nhiều khả năng sẽ dùng trong phiên bản cho thị trường US của Samsung Galaxy S8, ngoài ra với việc sử dụng tiến trình 10nm, chip xử lý sẽ nhỏ hơn, tiết kiệm điện hơn và cho hiệu năng tốt hơn.


Samsung còn cho biết thêm, chip Snapdragon 835 mới sẽ có kích thước nhỏ hơn 30%, tăng 27% hiệu năng, giảm 40% năng lượng tiêu thụ so với các chip 14nm hiện tại. Điều này cũng góp phần xác nhận sẽ không có Snapdragon 830 cho những thiết bị di động cao cấp, nhưng cũng có thể sau này Qualcomm sẽ ra mắt Snapdragon 830 như phiên bản cấp thấp của Snapdragon 835.

Và tất nhiên phía Samsung cũng sẽ dùng tiến trình 10nm cho dòng Exynos 8895 vào năm sau, nhưng Samsung chưa chính thức xác nhận điều này.

Snapdragon 835 còn có thế hệ sạc nhanh mới nhất là QuickCharge 4.0. Theo Qualcomm thì Quick Charge mói sẽ giúp tăng tốc độ sạc lên 20% so với đời trước, giảm nhiệt độ xuống 5 độ C. Đồng thời, Qualcomm cho biết công nghệ mới giúp Quick Charge 4.0 đạt được khả năng sạc 5 phút dùng 5 giờ. Khi sạc lâu hơn thì trong 15 phút sẽ được 50% pin, tất nhiên là chỉ với dung lượng pin thử nghiệm 2750mAh, thực tế sử dụng sẽ khác. Quick Charge 4 cũng hỗ trợ tốt tiêu chuẩn USB-C và USB Power Delivery.

---

Tags: #samsung #snapdragon-835 #quickcharge #qualcomm #news